Produktbild: Fundamentals of Power Semiconductor Devices
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Fundamentals of Power Semiconductor Devices

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Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

05.09.2008

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (L/B/H)

24,2/16,4/6,9 cm

Gewicht

1618 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-47313-0

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Erscheinungsdatum

05.09.2008

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (L/B/H)

24,2/16,4/6,9 cm

Gewicht

1618 g

Auflage

2008

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-387-47313-0

Herstelleradresse

Springer Heidelberg
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE
buchhandel-buch@springer.com

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  • Introduction.- Material properties and transport physics.- Breakdown voltage.- Schottky rectifiers.- P-i-N rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar junction transistors.- Thyristors.- Insulated gate bipolar transistors.- Synopsis.