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Nanoscale Transistors Device Physics, Modeling and Simulation

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

29.10.2010

Abbildungen

VIII, 218 p. 106 illus.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

218

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,3 cm

Gewicht

353 g

Auflage

Softcover reprint of hardcover 1st edition 2006

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-3915-9

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

29.10.2010

Abbildungen

VIII, 218 p. 106 illus.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

218

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,3 cm

Gewicht

353 g

Auflage

Softcover reprint of hardcover 1st edition 2006

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-3915-9

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Basic Concepts.- Devices, Circuits, and Systems.- The Ballistic Nanotransistor.- Scattering Theory of the MOSFET.- Nanowire Field-Effect Transistors.- Transistors at the Molecular Scale.