• Produktbild: Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits
  • Produktbild: Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits
Band 451 - 12%

Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits

12% sparen

328,99 € UVP 374,49 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

05.01.2011

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

501

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,9 cm

Gewicht

814 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1998

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-5044-4

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

05.01.2011

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

501

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,9 cm

Gewicht

814 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1998

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-5044-4

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

Kundinnen und Kunden meinen

0 Bewertungen

Informationen zu Bewertungen

Zur Abgabe einer Bewertung ist eine Anmeldung im Konto notwendig. Die Authentizität der Bewertungen wird von uns nicht überprüft. Wir behalten uns vor, Bewertungstexte, die unseren Richtlinien widersprechen, entsprechend zu kürzen oder zu löschen.

Die Bewertungen sind nach Format, Anzahl Sterne und Datum sortiert.

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kund*innen durch Ihre Meinung

Kundinnen und Kunden meinen

0 Bewertungen filtern

  • Produktbild: Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits
  • Produktbild: Distortion Analysis of Analog Integrated Circuits
  • 1 Introduction.- 2 Basic terminology.- 3 Description of nonlinearities in analog integrated circuits.- 4 Volterra series and their applications to analog integrated circuit design.- 5 Calculation of harmonics and intermodulation products.- 6 Silicon bipolar transistor models for distortion analysis.- 7 MOS transistor models for distortion analysis.- 8 Weakly nonlinear behavior of basic analog building blocks.- 9 Measurements of basic nonlinearities of transistors.- Appendices.- A Useful trigonometric relationships.- B Basics of Volterra series.- B.1 Introduction.- B.2 Volterra series representation of a system.- B.3 Second-order Volterra systems.- B.3.1 The second-order operator.- B.3.2 The second-order Volterra operator.- B.3.3 Second-order kernel symmetrization.- B.4 The second-order kernel transform.- B.4.1 The two-dimensional Fourier and Laplace transform.- B.4.2 Sinusoidal response of a second-order Volterra system.- B.4.3 Response of a second-order system to a sum of two sinusoids.- B.5 Higher-order Volterra systems.- B.5.4 The p-dimensional Laplace and Fourier transforms.- C Derivation of the method for the direct computation of nonlinear responses.- C.1 Setup of basic equations.- C.2 First-order responses.- C.3 Second-order responses.- C.4 Higher-order responses.- D Nonlinearity coefficients for the description of the Early effect.- E Relation between source-referred and bulk-referred nonlinearity coefficients of a MOS transistor.- F Derivatives of the drain current with an implicit saturation voltage.- F.2 First-order derivatives.- F.3 Higher-order derivatives.- G Derivation of the MOS drain current in the presence of velocity saturation.- G.1 Derivation of the drain current with the simple velocity-field models.- G.2 Derivation of the drain current with the more accurate velocity-field model.- G.2.1 The rigorous approach.- G.2.2 Approximate approach.