Produktbild: Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers

Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers

49,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.12.2011

Abbildungen

XVI, 429 p.

Herausgeber

Günther Bauer + weitere

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

429

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,5 cm

Gewicht

680 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1996

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-642-79680-7

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

14.12.2011

Abbildungen

XVI, 429 p.

Herausgeber

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

429

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,5 cm

Gewicht

680 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1996

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-642-79680-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

  • Produktbild: Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers
  • 1 Introduction.- 2 Analysis of Epitaxial Growth.- 2.1 Vapour Phase Epitaxy: Basics.- 2.2 Gas Phase Diagnostics: Transport.- 2.3 Gas Phase Diagnostics: Reaction Kinetics.- 2.4 Surface Diagnostics.- 2.5 Conclusions.- 3 Spectroscopic Ellipsometry.- 3.1 Principle of Measurement.- 3.2 Experimental Details.- 3.3 Interpretation of the Effective Dielectric Function.- 3.4 Characteristic Experimental Examples.- 3.5 Sample Related Problems.- 3.6 Summary.- 4 Raman Spectroscopy.- 4.1 Theory of Raman Spectroscopy.- 4.2 Experimental Setup for Raman Scattering.- 4.3 Analysis of Lattice Dynamical Properties.- 4.4 Analysis of Electronic Properties.- 4.5 Band Bending at Interfaces.- 4.6 Summary.- 5 Far-Infrared Spectroscopy.- 5.1 Theoretical Foundations.- 5.2 Fourier Transform Spectroscopy.- 5.3 Determination of Layer Thicknesses.- 5.4 Determination of Carrier Concentrations.- 5.5 Confined Electron Systems.- 5.6 Determination of Impurity Concentrations.- 5.7 Shallow Donors and Acceptors.- 5.8 IR Characterisation of Porous Silicon Layers.- 5.9 Summary.- 6 High Resolution X-Ray Diffraction.- 6.1 Principal Scattering Geometries.- 6.2 Kinematical and Dynamical Theory.- 6.3 Thickness Dependence of Bragg Reflections.- 6.4 Strain Phenomena.- 6.5 Rocking-Curves from Heterostructures.- 6.6 Multilayer Structures.- 6.7 Scans in the Reciprocal Lattice.- 6.8 New Developments.- 6.9 Grazing-Incidence X-Ray Techniques.- 6.10 Reflection of X-Rays at Grazing Incidence.- 6.11 Specular and Non-Specular Scattering.- 6.12 Grazing-Incidence X-Ray Diffraction.- 6.13 Summary.- 6.14 Concluding Remarks.- References.