Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
Band 157

Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics Thermal and Electrical Stability

96,29 €

inkl. gesetzl. MwSt.

Beschreibung

Produktdetails

Format

PDF

Kopierschutz

Nein

Family Sharing

Nein

Text-to-Speech

Nein

Erscheinungsdatum

02.02.2012

Verlag

Springer New York

Seitenzahl

149 (Printausgabe)

Dateigröße

7315 KB

Sprache

Englisch

EAN

9781461418122

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PDF

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  • keine Information zur Barrierefreiheit bekannt

Erscheinungsdatum

02.02.2012

Verlag

Springer New York

Seitenzahl

149 (Printausgabe)

Dateigröße

7315 KB

Sprache

Englisch

EAN

9781461418122

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  • Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
  • Preface1. Introduction
    1.1 Metal-dielectric interfaces in IC chips
    1.2 Materials choices
    1.3 Thermal and electrical stability2. Metal-Dielectric Diffusion Processes: Fundamentals
    2.1  Thermal diffusion
    2.2  Field-enhanced ion drift
    2.3  Thermodynamics and chemical interactions
    2.4  Summary3. Experimental Techniques
    3.1 Test structures
    3.2 Electrical measurements
    3.3 Elemental characterizations
    3.4 Summary4. Al-Dielectric Interfaces
    4.1 Al-SiO2 interface
    4.2 Al/low-k dielectric interfaces
    4.3 Chemical identification of Al-ion drift
    4.4 SiO2 as a dielectric barrier against Al-ion drift
    4.5 Summary5. Cu-Dielectric Interfaces
    5.1 Stability of Cu-SiO2 in an oxygen-free environment
    5.2 Instability of Cu-SiO2 in an oxygen-containing environment
    5.3 Origin of Cu ions in SiO2
    5.4 Cu ion diffusivity inside SiO2
    5.5 Cu ions in porous low-k dielectrics
    5.6 Pre-cleaning of Cu/low-k dielectrics
    5.7 Cu atoms in porous low-k dielectrics
    5.8 Dielectrics containing no oxygen
    5.9 Summary6. Barrier Metal-Dielectric Interfaces
    6.1 Barrier metals on SiO2
    6.2 Barrier metals on low-k dielectrics7. Self-Forming Barriers
    7.1 General considerations
    7.2 Cu(Al) self-forming barrier
    7.3 Cu(Mg) self-forming barrier            7.4. Cu(Mn) self-forming barrier
    7.5 Refractory metal self-forming barrier alloys
    7.6 Summary8. Kinetics of Ion Drift
    8.1 Ion distribution simulations
    8.2 Leakage current
    8.3 C-V characteristics
    8.4 Summary9. Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) and Future Directions
    9.1 Time-dependent dielectric breakdown (TDDB)
    9.2 Dielectric pore-sealing
    9.3 Resistance-switching memory
    9.4 Summary