Produktbild: Techniques and Challenges for 300 mm Silicon: Processing, Characterization, Modelling and Equipment

Techniques and Challenges for 300 mm Silicon: Processing, Characterization, Modelling and Equipment

128,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

08.09.1999

Abbildungen

Illustrations

Herausgeber

H. Richter + weitere

Verlag

Elsevier Science & Technology

Seitenzahl

206

Maße (B/H)

20,9/27,9 cm

Gewicht

670 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-08-043609-8

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08.09.1999

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Elsevier Science & Technology

Seitenzahl

206

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20,9/27,9 cm

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Englisch

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978-0-08-043609-8

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  • Preface. The 300 mm technology - global opportunity for industry and challenges for research (H. Richter et al.). 300 mm conversion challenge and breakthrough for future semiconductor manufacturing (P. Kuecher et al.). Automation and fab concepts for 300 mm wafer manufacturing (H. Binder, A. Honold). Large diameter silicon technology and epitaxy (H. Yamagishi et al.). Challenges for economical growth of high quality 300 mm CZ Si crystals (E. Tomzig et al.). 300 mm epitaxy: challenges and opportunities from a wafer manufacturer's point of view (P.-O. Hansson, M. Fuerfanger). Study of oxygen transport in Czochralski growth of silicon (G. Müller et al.). Vacancy distribution measurements in CZ Si crystals grown by different pulling rate (Y. Takano et al.). Uniform precipitation of oxygen in large diameter wafers (G. Kissinger et al.). Effect of the structural state of the melt on the properties of silicon crystals (A.Ya. Gubenko). Characterization of 300 mm silicon-polished and EPI wafers (S. Shih et al.). Three hundred-mm wafers: a technological and an economical challenge (H. Dietrich et al.).