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Fundamentals of Power Semiconductor Devices

147,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/5,9 cm

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4899-7765-6

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

1069

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/5,9 cm

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4899-7765-6

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

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  • Introduction.- Material properties and transport physics.- Breakdown voltage.- Schottky rectifiers.- P-i-N rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar junction transistors.- Thyristors.- Insulated gate bipolar transistors.- Synopsis.