Produktbild: Physics of Semiconductor Devices

Physics of Semiconductor Devices

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128,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

03.05.2021

Verlag

John Wiley & Sons

Seitenzahl

944

Maße (L/B/H)

23,5/15,7/5,5 cm

Gewicht

1660 g

Farbe

Bordeaux / Weiß

Auflage

4. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-119-42911-1

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

03.05.2021

Verlag

John Wiley & Sons

Seitenzahl

944

Maße (L/B/H)

23,5/15,7/5,5 cm

Gewicht

1660 g

Farbe

Bordeaux / Weiß

Auflage

4. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-119-42911-1

EU-Ansprechpartner

Zeitfracht Medien GmbH
Ferdinand-Jühlke-Straße 7
99095 Erfurt
DE
produktsicherheit@zeitfracht.de

Herstelleradresse

Wiley & Sons
1 Oldlands Way
PO22 9NQ Bognor Regis
GB
trade@wiley.com

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  • Produktbild: Physics of Semiconductor Devices
  • Preface ix

    Author Biography xi

    Introduction 1

    Part I Semiconductor Physics

    Chapter 1 Physics and Properties of Semiconductors-A Review 7

    1.1 Introduction, 7

    1.2 Crystal Structure, 8

    1.3 Energy Bands and Energy Gap, 11

    1.4 Carrier Concentration at Thermal Equilibrium, 15

    1.5 Carrier-Transport Phenomena, 26

    1.6 Phonon, Optical, and Thermal Properties, 47

    1.7 Heterojunctions and Nanostructures, 52

    1.8 Basic Equations and Examples, 60

    Part II Device Building Blocks

    Chapter 2 p-n Junctions 79

    2.1 Introduction, 79

    2.2 Depletion Region, 80

    2.3 Current-Voltage Characteristics, 91

    2.4 Junction Breakdown, 102

    2.5 Transient Behavior and Noise, 115

    2.6 Terminal Functions, 119

    2.7 Heterojunctions, 126

    Chapter 3 Metal-Semiconductor Contacts 136

    3.1 Introduction, 136

    3.2 Formation of Barrier, 137

    3.3 Current Transport Processes, 155

    3.4 Measurement of Barrier Height, 173

    3.5 Device Structures, 183

    3.6 Ohmic Contact, 190

     

    Chapter 4 Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors 200

    4.1 Introduction, 200

    4.2 Ideal MIS Capacitor, 201

    4.3 Silicon MOS Capacitor, 214

    4.4 Carrier Transport in MOS Capacitor, 241

    Part III Transistors

    Chapter 5 Bipolar Transistors 263

    5.1 Introduction, 263

    5.2 Static Characteristics, 264

    5.3 Compact Models of Bipolar Transistors, 283

    5.4 Microwave Characteristics, 293

    5.5 Related Device Structures, 306

    5.6 Heterojunction Bipolar Transistor, 312

    5.7 Self-Heating Effects, 318

    Chapter 6 MOSFETs 329

    6.1 Introduction, 329

    6.2 Basic Device Characteristics, 334

    6.3 Nonuniform Doping and Buried-Channel Device, 360

    6.4 Device Scaling and Short-Channel Effects, 373

    6.5 MOSFET Structures, 391

    6.6 Circuit Applications, 403

    6.7 NCFET and TFET, 408

    6.8 Single-Electron Transistor, 414

    Chapter 7 Nonvolatile Memory Devices 434

    7.1 Introduction, 434

    7.2 The Concept of Floating Gate, 435

    7.3 Device Structures, 440

    7.4 Compact Model of Floating-Gate Memory Cells, 447

    7.5 Multi-Level Cells and 3-Dimensional Structures, 450

    7.6 Applications and Scaling Challenges, 463

    7.7 Alternative Structures, 467

    Chapter 8 JFETs, MESFETs, and MODFETs 486

    8.1 Introduction, 486

    8.2 JFET and MESFET, 487

    8.3 MODFET, 511

    Part IV Negative-Resistance and Power Devices

    Chapter 9 Tunnel Devices 539

    9.1 Introduction, 539

    9.2 Tunnel Diode, 540

    9.3 Related Tunnel Devices, 554

    9.4 Resonant-Tunneling Diode, 571

    Chapter 10 IMPATT Diodes, TED, and RST Devices 585

    10.1 Introduction, 585

    10.2 IMPATT Diodes, 586

    10.3 Transferred-Electron Devices, 616

    10.4 Real-Space-Transfer Devices, 636

    Chapter 11 Thyristors and Power Devices 649

    11.1 Introduction, 649

    11.2 Thyristor Characteristics, 650

    11.3 Thyristor Variations, 670

    11.4 Other Power Devices, 676

    Part V Photonic Devices and Sensors

    Chapter 12 LEDs and Lasers 697

    12.1 Introduction, 697

    12.2 Radiative Transitions, 698

    12.3 Light-Emitting Diode (LED), 703

    12.4 Laser Physics, 715

    12.5 Laser Operating Characteristics, 723

    12.6 Specialty Lasers, 742

    Chapter 13 Photodetectors and Solar Cells 755

    13.1 Introduction, 755

    13.2 Photoconductor, 759

    13.3 Photodiodes, 762

    13.4 Avalanche Photodiode, 772

    13.5 Phototransistor, 782

    13.6 Charge-Coupled Device (CCD), 785

    13.7 Metal-Semiconductor-Metal Photodetector, 799

    13.8 Quantum-Well Infrared Photodetector (QWIP), 802

    13.9 Solar Cell, 806

    Chapter 14 Sensors 835

    14.1 Introduction, 835

    14.2 Thermal Sensors, 837

    14.3 Mechanical Sensors, 843

    14.4 Magnetic Sensors, 852

    14.5 Chemical Sensors, 862

    14.6 Biosensors, 867

    Appendices 875

    A. List of Symbols, 877

    B. International System of Units, 887

    C. Unit Prefixes, 888

    D. Greek Alphabet, 889

    E. Physical Constants, 890

    F. Properties of Important Semiconductors, 891

    G. The Bloch Theorem and the Periodic Energy in the Reciprocal Lattice, 892

    H. Properties of Si and GaAs, 894

    I. The Derivations of Boltzmann Transport Equation and Hydrodynamic Model, 895

    J. Properties of SiO2 and Si3N4 , 901

    K. Compact Models of Bipolar Transistors, 902

    L. Discovery of the Floating-Gate Memory Effect, 910

    Index 913