Wide Bandgap Semiconductor Power Devices Materials, Physics, Design, and Applications
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Sprache:Englisch
191,99 €
UVP
242,50 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
26.10.2018
Herausgeber
Baliga B. JayantVerlag
Elsevier Science & TechnologySeitenzahl
420
Maße (L/B/H)
22,9/15,2/2,2 cm
Gewicht
680 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-08-102306-8
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design and Applications provides readers with a single resource on why these devices are superior to existing silicon devices. The book lays the groundwork for an understanding of an array of applications and anticipated benefits in energy savings. Authored by the Founder of the Power Semiconductor Research Center at North Carolina State University (and creator of the IGBT device), Dr. B. Jayant Baliga is one of the highest regarded experts in the field. He thus leads this team who comprehensively review the materials, device physics, design considerations and relevant applications discussed.
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