Produktbild: Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors

Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors

82,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.04.2021

Verlag

Springer

Seitenzahl

124

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,4 cm

Gewicht

389 g

Auflage

1st ed. 2021

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-68939-1

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

01.04.2021

Verlag

Springer

Seitenzahl

124

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,4 cm

Gewicht

389 g

Auflage

1st ed. 2021

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-030-68939-1

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: GPSR Kontakt

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

  • Produktbild: Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
  • Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Fundamentals.- Chapter 3. Gate Drivers Based on High-Voltage Charge Storing (HVCS).- Chapter 4. Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing (HVES).- Chapter 5. Gate Drivers for Large Gate Loops Based on HVES.- Chapter 6. Outlook and FutureWork.- Chapter 7. Conclusion.