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Produktbild: Hf-Based High-k Dielectrics

Hf-Based High-k Dielectrics Process Development, Performance Characterization, and Reliability

Aus der Reihe Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices

27,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

31.12.2007

Abbildungen

X, 92 p.

Verlag

Springer

Seitenzahl

92

Maße (L/B/H)

23,5/19,1/0,7 cm

Gewicht

212 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-031-01424-6

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

31.12.2007

Abbildungen

X, 92 p.

Verlag

Springer

Seitenzahl

92

Maße (L/B/H)

23,5/19,1/0,7 cm

Gewicht

212 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-031-01424-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Hf-Based High-k Dielectrics
  • Introduction.- Hard- and Soft-Breakdown Characteristics of Ultrathin HfO2 Under Dynamic and Constant Voltage Stress.- Impact of High Temperature Forming Gas and D2 Anneal on Reliability of HfO2 Gate Dielectrics.- Effect of Barrier Height and the Nature of Bilayer Structure of HfO2 with Dual Metal Gate Technology.- Bimodal Defect Generation Rate by Low Barrier Height and its Impact on Reliability Characteristics.