Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors
-
- Taschenbuch ausgewählt
- eBook
-
Sprache:Englisch
251,99 €
UVP
310,50 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
24.05.2023
Abbildungen
750 illustrations (90 in full color), Illustrationen, nicht spezifiziert
Herausgeber
Parmod Kumar + weitereVerlag
Elsevier Science & TechnologySeitenzahl
736
Maße (L/B/H)
15/23,1/3,6 cm
Gewicht
1000 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-323-90907-5
Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors provides an overview of the latest advances in defect engineering to create new magnetic materials and enable new technological applications. First, the book introduces the mechanisms, behavior, and theory of magnetism in oxide semiconductors and reviews the methods of inducing magnetism in these materials. Then, strategies such as pulsed laser deposition and RF sputtering to grow oxide nanostructured materials with induced magnetism are discussed. This is followed by a review of the most relevant postdeposition methods to induce magnetism in oxide semiconductors including annealing, ion irradiation, and ion implantation. Examples of defect-induced magnetism in oxide semiconductors are provided along with selected applications.
This book is a suitable reference for academic researchers and practitioners and for people engaged in research and development in the disciplines of materials science and engineering.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für Ihr Feedback
Wir nutzen Ihr Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte haben Sie Verständnis, dass wir Ihnen keine Rückmeldung geben können. Falls Sie Kontakt mit uns aufnehmen möchten, können Sie sich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice