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  • Produktbild: Contemporary Trends in Semiconductor Devices
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Contemporary Trends in Semiconductor Devices Theory, Experiment and Applications

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148,99 € UVP 171,19 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

18.02.2023

Herausgeber

Rupam Goswami + weitere

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

301

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,8 cm

Auflage

1st ed. 2022

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-16-9126-3

Beschreibung

Portrait

Rupam Goswami obtained his M.Tech. in 2014 and Ph.D. in 2018 from National Institute of Technology Silchar, India. Currently, he is Assistant Professor at the Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, India. Before joining Tezpur University, he worked as Assistant Professor at Birla Institute of Technology and Science Pilani, Rajasthan, India. His research interests include simulation and modeling of TFETs, TFTs, FinFETs, and memristors.

His research works have appeared in 3 books, 22 international peer-reviewed journals, and 13 international peer-reviewed conferences. He is an editor of a book on carbon nanomaterial electronics.

Rajesh Saha has received B.E. with honours in Electronics and Telecommunication Engineering from Assam Engineering College, Assam, in 2012 and M.Tech. from NIT Arunachal Pradesh, Yupia, Arunachal Pradesh, in 2015. He has received Ph.D. from NIT Silchar, Assam, in 2018.  He has worked as Junior Research Fellow in IIT Guwahati from September 2012 to April 2013. Currently, he is working as Assistant Professor at the Department of ECE in MNIT Jaipur. Before joining MNIT Jaipur, he has worked as Assistant Professor in School of Electronics Engineering, VIT AP University, Amaravati. His research interest includes modeling and simulation of nanoelectronics devices, biosensors, and MEMS. He has published his research work in 25 peer-reviewed journals and 6 international peer-reviewed conferences.

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

18.02.2023

Herausgeber

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

301

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,8 cm

Auflage

1st ed. 2022

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-16-9126-3

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • Introduction.- A Brief Insight into the Vertical Super-Thin Body (VSTB) MOSFET.- Effect of Noise and Temperature on the Performance of Ferro-Tunnel FET.- An Introduction of Organic Photovoltaic Application from Material and Fabrication Perspective.- Recent Development and Future Prospects of Rigid and Flexible Dye-Sensitized Solar Cell: A Review.- Theory of Nanostructured Kesterite Solar Cell.- Nano-Material based Sensitized Solar Cells.- Lateral Straggle Parameter and its Impact on Hetero-stacked Source Tunnel FET.- Fabrication of ZnO and ZnO-heterostructures for Gas Sensing Applications.- Significance of Optimal Positioning of the Reference Electrode for an ISFET.