Ocena wydajno¿ci architektury 3D SRAM z wykorzystaniem wspó¿osiowych TSV
-
- Polnisch ausgewählt
35,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
18.11.2025
Verlag
Wydawnictwo Nasza WiedzaSeitenzahl
72
Maße (L/B/H)
22/15/0,5 cm
Gewicht
125 g
Sprache
Polnisch
ISBN
978-620-9-27912-6
Uk¿adanie w stosy urz¿dze¿ logicznych i pami¿ciowych w technologii 3D ma zasadnicze znaczenie dla utrzymania tempa rozwoju zgodnie z prawem Moore'a. W integracji 3D urz¿dzenia pami¿ciowe mog¿ by¿ uk¿adane w stosy na procesorach. Architektura pami¿ci 3D oparta na TSV umo¿liwia ponowne wykorzystanie uk¿adów logicznych z wieloma warstwami pami¿ci. Konwencjonalna pami¿¿ 3D charakteryzuje si¿ nisk¿ pr¿dko¿ci¿, wysokim zu¿yciem energii i nisk¿ wydajno¿ci¿ z powodu du¿ego obci¿¿enia paso¿ytniczego TSV i zmienno¿ci PVT mi¿dzy warstwami. Aby przezwyci¿¿y¿ te ograniczenia, w niniejszym artykule przedstawiono fizyczny projekt architektury pó¿-master-slave (SMS) pami¿ci 3D SRAM, która zapewnia interfejs logiczny SRAM o stäym obci¿¿eniu w ró¿nych warstwach oraz wysok¿ tolerancj¿ na zmiany PVT mi¿dzy warstwami. Schemat SMS jest po¿¿czony z samoczynnie taktowanym ró¿nicowym TSV (STDT) wykorzystuj¿cym schemat ¿ledzenia obci¿¿enia TSV w celu uzyskania niewielkiego wahania napi¿cia TSV w celu st¿umienia obci¿¿enia mocy i pr¿dko¿ci komunikacji sygnäu mi¿dzywarstwowego TSV wynikaj¿cego z du¿ych obci¿¿e¿ paso¿ytniczych TSV w projektach UMCP ze skalowalnymi warstwami i szerokim IO. Zapewnia to uniwersaln¿ platform¿ pojemno¿ci pami¿ci.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für Ihr Feedback
Wir nutzen Ihr Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte haben Sie Verständnis, dass wir Ihnen keine Rückmeldung geben können. Falls Sie Kontakt mit uns aufnehmen möchten, können Sie sich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice